công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STB10N03 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
STB10N03 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
1 / 8 page S mHop Microelectronics C orp. a Symbol VDS VGS IDM 0.55 62.5 W A PD °C 227 -55 to 150 ID Units Parameter 100 120 480 °C/W V V ±20 TC=25°C Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage THERMAL CHARACTERISTICS °C/W PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(ON) (m Ω) Max 100V 120A 4.0 @ VGS=10V FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handling capability. TO-263 package. S G D N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted) Limit Drain Current-Continuous b TC=25°C -Pulsed b A Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG Thermal Resistance, Junction-to-Case Thermal Resistance, Junction-to-Ambient R JC R JA www.samhop.com.tw Aug,31,2016 1 Details are subject to change without notice. A 76 TC=100°C TC=100°C 91 W STB10N03 Ver 1.0 Green Product EAS Single Pulse Avalanche Energy c mJ 300 STB S ER IE S TO-263(DD-P AK ) G S D |
Số phần tương tự - STB10N03 |
|
Mô tả tương tự - STB10N03 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |