công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
1PS10SB82 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
1PS10SB82 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
4 / 7 page 2003 Aug 20 4 Philips Semiconductors Product specification Schottky barrier diode 1PS10SB82 GRAPHICAL DATA handbook, halfpage 1.6 0 (1) (3) 0.4 0.8 1.2 VF (V) IF (mA) 103 102 10 1 MLE112 (2) (2) (1) (3) Fig.2 Forward current as a function of forward voltage; typical values. (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb =85 °C. (3) Tamb =25 °C. handbook, halfpage 15 10 VR (V) IR ( µA) 5 0 MLE113 103 102 10 1 10−1 10−2 (3) (1) (2) Fig.3 Reverse current as a function of reverse voltage; typical values. (1) Tamb = 125 °C. (2) Tamb =85 °C. (3) Tamb =25 °C. handbook, halfpage 02 10 1.2 1 0.6 0.4 0.8 4 VR (V) Cd (pF) 68 MLE114 Fig.4 Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values. f = 1 MHz; Tamb =25 °C. handbook, halfpage 103 102 10 1 MLE115 10−1 1 IF (mA) rD ( Ω) 10 102 Fig.5 Differential diode forward resistance as a function of forward current; typical values. f = 1 MHz; Tamb =25 °C. |
Số phần tương tự - 1PS10SB82 |
|
Mô tả tương tự - 1PS10SB82 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |