công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STU30N10 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
|
STU30N10 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SamHop Microelectronics Corp. |
1 / 10 page Symbol VDS VGS IDM A ID Units Parameter 100 V V ±20 Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(ON) (m Ω) Typ 100V 30A 24 @ VGS=10V FEATURES Super high dense cell design for low RDS(ON). Rugged and reliable. TO-252 and TO-251 Package. N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted) Limit Drain Current-Continuous -Pulsed a c A www.samhop.com.tw Apr,22,2015 1 Details are subject to change without notice. TC=25°C W PD °C -55 to 150 TC=25°C THERMAL CHARACTERISTICS Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, TSTG 50 °C/W Thermal Resistance, Junction-to-Ambient R JA 2.4 °C/W Thermal Resistance, Junction-to-Case R JC TC=70°C A TC=70°C W 30 88 52 24 33 S mHop Microelectronics C orp. a Ver 2.0 STU30N10 STD30N10 Green Product c EAS mJ Single Pulse Avalanche Energy d 144 G S STU SERIES TO-252AA(D-PAK) STD SERIES TO-251(I-PAK) G S D |
Số phần tương tự - STU30N10 |
|
Mô tả tương tự - STU30N10 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |