công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FGB40T65SP bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - ON Semiconductor |
|
FGB40T65SP bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - ON Semiconductor |
4 / 11 page ©Semiconductor Components Industries, LLC, 2016 3 www.onsemi.com November 2016 - Rev. 1.0 Electrical Characteristics of the IGBT (Continued) Electrical Characteristics of the Diode T C = 25 °C unless otherwise noted Thermal Characteristics Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max Units Qg Total Gate Charge VCE = 400V, IC = 40A, VGE = 15V -36 - nC Qge Gate to Emitter Charge - 12 - nC Qgc Gate to Collector Charge - 11 - nC Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max Units VFM Diode Forward Voltage IF = 20A TC = 25 oC- 2.0 2.7 V TC = 175 oC- 1.8 - Erec Reverse Recovery Energy IF = 20A, dIF/dt = 200A/μs TC = 175 oC- 51 - μJ Trr Diode Reverse Recovery Time TC = 25 oC- 34 - ns TC = 175 oC - 206 - Qrr Diode Reverse Recovery Charge TC = 25 oC- 56 - nC TC = 175 oC - 731 - Symbol Parameter Typ. Max. Units RθJC(IGBT) Thermal Resistance, Junction to Case - 0.56 oC/W RθJC(Diode) Thermal Resistance, Junction to Case - 1.71 oC/W RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient - 40 oC/W |
Số phần tương tự - FGB40T65SP |
|
Mô tả tương tự - FGB40T65SP |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |