công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STC6301D bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Stanson Technology |
|
STC6301D bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Stanson Technology |
1 / 8 page STC6301D N&P Pair Enhancement Mode MOSFET 23.0A / -18.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2007, Stanson Corp. STC6301D 2017. V1 DESCRIPTION The STC6301D is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application such as power management, where high-side switching, low in-line power loss and resistance to transient are needed. PIN CONFIGURATION TO252-4L D1 / D2 PART MARKING Y ∶ Year A ∶ Date code B/C:Process Code X : Package Code FEATURE N-Channel l 60V/8.0A, RDS(ON) = 37mR @VGS = 10V l 60V/5.0A, RDS(ON) = 28mΩ @VGS = 4.5V P-Channel l -60V/-5.0A, RDS(ON) = 46mΩ @VGS = -10V l -60V/-3.0A, RDS(ON)= 65mΩ @VGS = - 4.5V l Super high density cell design for extremely low RDS(ON) l Exceptional on-resistance and maximum DC current capability l TO252-4L package |
Số phần tương tự - STC6301D |
|
Mô tả tương tự - STC6301D |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |