công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BTB41-200 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Sirectifier Semiconductors |
|
BTB41-200 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Sirectifier Semiconductors |
4 / 4 page F ig. 7: R elative variation of gate trigger current, holding current and latching current vers us junction temperature (typical values). F ig. 8: R elative variation of critical rate of decreas e of main current vers us (dV /dt)c (typical values ). -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 T j(° C ) IG T,IH,IL [T j] / IG T,IH,IL [T j=25° C ] IG T IH & IL 0.1 1.0 10.0 100.0 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 (dV /dt)c (V /µs ) (dI/dt)c [(dV /dt)c] / S pecified (dI/dt)c F ig. 9: R elative variation of critical rate of decreas e of main current vers us junction temperature. 0 25 50 75 100 125 0 1 2 3 4 5 6 T j (° C ) (dI/dt)c [T j] / (dI/dt)c [T j s pecified] BTB41 Discrete Triacs(Non-Isolated) P4 ©2008 SIRECTIFIER All rights reserved, Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com www.sirectifier.com |
Số phần tương tự - BTB41-200 |
|
Mô tả tương tự - BTB41-200 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |