công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE17446B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
ACE17446B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
1 / 7 page ACE17446B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.2 1 Description The ACE17446B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The source leads are separated to allow a kelvin connection to the source, which may be used to bypass the source inductance. ACE17446BPD and ACE17446BNN are electrically identical. -RoHS Compliant -Halogen Free Features VDS (V) = 30V VGS (V) = ±20V ID = 45A (VGS = 10V) RDS(ON) < 6.5mΩ (VGS = 10V) RDS(ON) < 10mΩ (VGS = 4.5V) Absolute Maximum Ratings@TA=25℃ unless otherwise noted Parameter Symbol Max Unit Drain-Source Voltage VDSS 30 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Drain Current (Continuous)*AC TA=25℃ ID 45 A TA=70℃ 36 Drain Current (Pulsed)*B IDM 140 A Power Dissipation TA=25℃ PD 25 W TA=70℃ 9 Operating temperature / Storage temperature TJ/TSTG -55~150 ℃ Packaging Type PDFN3*3-8L DFN3*3-8L |
Số phần tương tự - ACE17446B |
|
Mô tả tương tự - ACE17446B |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |