công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STD6NM60N bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STD6NM60N bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 19 page STx6NM60N Electrical characteristics 5/19 Table 7. Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr td(off) tf Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time VDD= 300 V, ID = 2.3 A, RG= 4.7 Ω, VGS = 10 V Figure 18 10 8 40 9 ns ns ns ns Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current 4.6 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) 18.4 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD= 4.6 A, VGS=0 1.3 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD= 4.6 A, di/dt = 100 A/µs, VDD=20 V, Figure 20 300 2 12 ns µC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD= 4.6 A, di/dt = 100 A/µs, VDD= 20 V, Tj= 150 °C Figure 20 470 3 12 ns µC A Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s) |
Số phần tương tự - STD6NM60N |
|
Mô tả tương tự - STD6NM60N |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |