công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STS5P3LLH6 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STS5P3LLH6 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 15 page DocID024614 Rev 2 3/15 STS5P3LLH6 Electrical ratings 1 Electrical ratings Note: For the P-channel Power MOSFET the actual polarity of the voltages and the current must be reversed. Table 2. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source voltage 30 V VGS Gate-source voltage ± 20 V ID Drain current (continuous) at Tamb = 25 °C 5 A ID Drain current (continuous) at Tamb = 100 °C 3.2 A IDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Drain current (pulsed) 20 A PTOT Total dissipation at Tamb = 25 °C 2.7 W TJ Operating junction temperature 150 °C Tstg Storage temperature -55 to 150 °C Table 3. Thermal data Symbol Parameter Value Unit Rthj-amb (1) 1. When mounted on 1 inch² FR-4 board, 2 oz. Cu., t ≤ 10 sec Thermal resistance junction-amb 47 °C/W |
Số phần tương tự - STS5P3LLH6 |
|
Mô tả tương tự - STS5P3LLH6 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |