công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STGWT80H65DFB bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STGWT80H65DFB bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 22 page DocID024366 Rev 6 3/22 STGY80H65DFB, STGW80H65DFB, STGWA80H65DFB, STGWT80H65DFB Electrical ratings 22 1 Electrical ratings Table 2. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VCES Collector-emitter voltage (VGE = 0) 650 V IC Continuous collector current at TC = 25 °C 120(1) 1. Current level is limited by bond wires A Continuous collector current at TC = 100 °C 80 ICP (2) 2. Pulse width limited by maximum junction temperature Pulsed collector current 240 A VGE Gate-emitter voltage ±20 V IF Continuous forward current at TC = 25 °C 120(1) A Continuous forward current at TC = 100 °C 80 IFP (2) Pulsed forward current 240 A PTOT Total dissipation at TC = 25 °C 469 W TSTG Storage temperature range - 55 to 150 °C TJ Operating junction temperature - 55 to 175 Table 3. Thermal data Symbol Parameter Value Unit RthJC Thermal resistance junction-case IGBT 0.32 °C/W RthJC Thermal resistance junction-case diode 0.66 RthJA Thermal resistance junction-ambient 50 |
Số phần tương tự - STGWT80H65DFB |
|
Mô tả tương tự - STGWT80H65DFB |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |