công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STGW80H65FB bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - STMicroelectronics |
|
STGW80H65FB bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - STMicroelectronics |
7 / 18 page DocID026401 Rev 1 7/18 STGW80H65FB, STGWA80H65FB, STGWT80H65FB Electrical characteristics Figure 8. VCE(sat) vs. collector current Figure 9. Forward bias safe operating area VCE(sat) 1.4 1.2 1 0.8 0 IC(A) (V) 60 1.6 20 40 1.8 2 2.2 80 VGE= 15V TJ= 175°C TJ= 25°C TJ= -40°C 2.4 2.6 100 120 140 GIPD160920131029FSR IC 100 10 1 0.1 1 VCE(V) (A) 10 100 10μs 100μs 1ms Single pulse Tc= 25°C, TJ ≤ 175°C VGE= 15V GIPD160920131115FSR Figure 10. Capacitance variations Figure 11. Normalized V(BR)CES vs. junction temperature C 1000 100 10 0.1 VCE(V) (pF) 110 Cies Coes Cres 100 10000 GIPD160920131200FSR V(BR)CES 1.1 1 0.9 -50 TJ(°C) (norm) 0 50 100 150 IC= 2mA GIPD160920131144FSR Figure 12. Normalized VGE(th) vs. junction temperature Figure 13. Gate charge vs. gate-emitter voltage VGE 0.8 0.7 0.6 -50 TJ(°C) (norm) 0 50 100 150 0.9 1 1.1 IC= 1mA GIPD160920131151FSR VGE 4 2 0 0Qg(nC) (V) 100 200 300 400 6 8 10 12 14 16 IC= 80A VCC= 520V GIPD160920131156FSR |
Số phần tương tự - STGW80H65FB |
|
Mô tả tương tự - STGW80H65FB |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |