công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STGWT60H65FB bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STGWT60H65FB bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 16 page Electrical characteristics STGW60H65FB, STGWT60H65FB 4/16 DocID025187 Rev 4 2 Electrical characteristics TJ = 25 °C unless otherwise specified. Table 4. Static characteristics Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit V(BR)CES Collector-emitter breakdown voltage (VGE = 0) IC = 2 mA 650 V VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage VGE = 15 V, IC = 60 A 1.60 2.0 V VGE = 15 V, IC = 60 A TJ = 125 °C 1.75 VGE = 15 V, IC = 60 A TJ = 175 °C 1.85 VGE(th) Gate threshold voltage VCE = VGE, IC = 1 mA 5 6 7 V ICES Collector cut-off current (VGE = 0) VCE = 650 V 25 µA IGES Gate-emitter leakage current (VCE = 0) VGE = ± 20 V ±250 nA Table 5. Dynamic characteristics Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit Cies Input capacitance VCE = 25 V, f = 1 MHz, VGE = 0 -7792 - pF Coes Output capacitance - 262 - Cres Reverse transfer capacitance -158 - Qg Total gate charge VCC = 520 V, IC = 60 A, VGE = 15 V, see Figure 23 -306 - nC Qge Gate-emitter charge - 126 - Qgc Gate-collector charge - 58 - |
Số phần tương tự - STGWT60H65FB |
|
Mô tả tương tự - STGWT60H65FB |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |