công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STGWT20H60DF bảng dữ liệu(PDF) 9 Page - STMicroelectronics |
|
STGWT20H60DF bảng dữ liệu(HTML) 9 Page - STMicroelectronics |
9 / 17 page DocID024745 Rev 1 9/17 STGW20H60DF, STGWT20H60DF Electrical characteristics Figure 12. Diode VF vs. forward current Figure 13. Gate charge vs. gate-emitter voltage Figure 14. Capacitance variations vs. VCE Figure 15. Switching losses vs. gate resistance Figure 16. Switching losses vs. collector current Figure 17. Switching losses vs. temperature VF 1.9 1.5 1.1 10 50 IF(A) (V) 30 TJ= -40 °C 20 40 2.3 TJ= 25 °C TJ= 175 °C AM16293V1 VGE 8 4 0 0 Qg(nC) (V) 80 VCC= 400 V IC= 20 A 40 120 12 16 AM16294V1 C 1000 100 10 0.1 VCE(V) (pF) 10 Coes 1 Cies Cres AM16295V1 E 550 450 350 0 RG( Ω) (µJ) 20 EOFF 10 EON 30 40 650 750 VCC= 400 V, VGE = 15V, IC = 20 A, TJ = 175°C AM16296V1 E 600 400 200 10 IC(A) (µJ) 20 EOFF EON 30 800 1000 VCC= 400 V, VGE = 15V, Rg = 10 Ω, TJ = 175°C AM162961V1 E 400 300 200 25 TJ(°C) (µJ) 75 EOFF EON 125 VCC= 400 V, VGE = 15V, Rg = 10 Ω, IC = 20 A AM16297V1 |
Số phần tương tự - STGWT20H60DF |
|
Mô tả tương tự - STGWT20H60DF |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |