công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STGF30H60DF bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STGF30H60DF bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 24 page Electrical characteristics STGB30H60DF, STGF30H60DF, STGP30H60DF, STGW30H60DF 4/24 DocID022363 Rev 3 2 Electrical characteristics TJ = 25 °C unless otherwise specified. Table 4. Static Symbol Parameter Test condition Min. Typ. Max. Unit V(BR)CES Collector-emitter breakdown voltage (VGE = 0) IC = 2 mA 600 V VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage VGE = 15 V, IC = 30 A 2.0 2.4 V VGE = 15 V, IC = 30 A TJ = 175 °C 2.4 V VGE(th) Gate threshold voltage VCE = VGE, IC = 1 mA 5.0 6.0 7.0 V ICES Collector cut-off current (VGE = 0) VCE = 600 V 25 µA IGES Gate-emitter leakage current (VCE = 0) VGE = ± 20 V 250 nA Table 5. Dynamic Symbol Parameter Test condition Min. Typ. Max. Unit Cies Input capacitance VCE = 25 V, f = 1 MHz, VGE = 0 - 3600 - pF Coes Output capacitance 130 pF Cres Reverse transfer capacitance 65 pF Qg Total gate charge VCC = 400 V, IC = 30 A, VGE = 15 V -105 - nC Qge Gate-emitter charge - 30 - nC Qgc Gate-collector charge - 35 - nC |
Số phần tương tự - STGF30H60DF |
|
Mô tả tương tự - STGF30H60DF |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |