STL8N6F7 datasheet(4/12 Pages) STMICROELECTRONICS

tên linh kiện	STL8N6F7

Giải thích chi tiết về linh kiện	High avalanche ruggedness

Download	12 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Trang chủ	http://www.st.com

Logo

4 / 12 page

Electrical characteristics

STL8N6F7

4/12

DocID028258 Rev 1

2

Electrical characteristics

(TC = 25 °C unless otherwise specified)

Table 4: On /off states

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

V(BR)DSS

Drain-source breakdown

voltage

ID = 1 mA, VGS = 0 V

60

V

IDSS

Zero gate voltage drain current

VGS = 0 V

VDS = 60 V

1

µA

IGSS

Gate-body leakage current

VGS = 20 V, VDS = 0 V

100

nA

VGS(th)

Gate threshold voltage

VDS = VGS, ID = 250 μA

2

4

V

RDS(on)

Static drain-source on-

resistance

VGS = 10 V, ID = 4 A

0.021

0.025

Ω

Table 5: Dynamic

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Uni

t

Ciss

Input capacitance

VDS = 25 V, f = 1 MHz,

VGS = 0 V

-

450

-

pF

Coss

Output capacitance

-

210

-

pF

Crss

Reverse transfer capacitance

-

22

-

pF

Qg

Total gate charge

VDD = 48 V, ID = 8 A,

VGS = 10 V

(see Figure 3: "Test circuit

for gate charge behavior"

)

-

8

-

nC

Qgs

Gate-source charge

-

TBD

-

nC

Qgd

Gate-drain charge

-

TBD

-

nC

Table 6: Switching times

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Uni

t

td(on)

Turn-on delay time

VDD = 30 V, ID = 4 A,

RG = 4.7 Ω, VGS = 10 V

(see Figure 2: "Test circuit for

resistive load switching times"

)

-

TBD

-

ns

tr

Rise time

-

TBD

-

ns

td(off)

Turn-off delay time

-

TBD

-

ns

tf

Fall time

-

TBD

-

ns

Số phần tương tự - STL8N6F7

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STL8N65M2	848Kb / 15P	N-channel 650 V, 1 typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package May 2019 Rev 1
	STL8N65M5	1Mb / 13P	N-channel 650 V, 0.56, 7 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 5x5
	STL8N6LF3	976Kb / 15P	Automotive-grade N-channel 60 V, 22.5 mΩ typ., 7.8 A STripFET™ F3 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package May 2017
	STL8N6LF6AG	983Kb / 14P	High avalanche ruggedness

More results

Mô tả tương tự - STL8N6F7

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STL86N3LLH6AG	1,009Kb / 16P	High avalanche ruggedness February 2015 Rev 3
	STL220N6F7	744Kb / 13P	High avalanche ruggedness
	STS30N3LLH6	776Kb / 13P	High avalanche ruggedness July 2009 Rev 2
	STH170N8F7-2	823Kb / 15P	High avalanche ruggedness
	STS7P4LLF6	396Kb / 13P	High avalanche ruggedness
	STL4P3LLH6	766Kb / 13P	High avalanche ruggedness December 2014 Rev 2
	STL30P3LLH6	1Mb / 15P	High avalanche ruggedness January 2014 Rev 3
	STL110NS3LLH7	701Kb / 14P	High avalanche ruggedness April 2015 Rev 4
	STL140N4F7AG	927Kb / 14P	High avalanche ruggedness February 2017 Rev 2
	STH290N4F6-2AG	486Kb / 19P	High avalanche ruggedness

More results

STL8N6F7 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics

STL8N6F7 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics

Số phần tương tự - STL8N6F7

Mô tả tương tự - STL8N6F7

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

bảng dữ liệu tải về

Link URL