công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STL4N10F7 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STL4N10F7 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 14 page DocID023898 Rev 4 5/14 STL4N10F7 Electrical characteristics 14 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit I SD Source-drain current - 4.5 A I SDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current (pulsed) - 18 A V SD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 % Forward on voltage I SD = 2.25 A, V GS =0 - 1.1 V t rr Reverse recovery time I SD = 2.25 A, di/dt = 100 A/μs, V DD = 80 V, Tj=150 °C (see Figure 18) -30 ns Q rr Reverse recovery charge - 24 nC I RRM Reverse recovery current - 1.6 A |
Số phần tương tự - STL4N10F7 |
|
Mô tả tương tự - STL4N10F7 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |