STI40N65M2 datasheet(5/14 Pages) STMICROELECTRONICS

tên linh kiện	STI40N65M2

Giải thích chi tiết về linh kiện	Extremely low gate charge

Download	14 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Trang chủ	http://www.st.com

Logo

5 / 14 page

STI40N65M2, STP40N65M2

Electrical characteristics

DocID027478 Rev 1

5/14

Table 8: Source drain diode

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

ISD

Source-drain current

-

32

A

ISDM

(1)

Source-drain current

(pulsed)

-

128

A

VSD

(2)

Forward on voltage

VGS = 0 V, ISD = 32 A

-

1.6

V

trr

Reverse recovery time

ISD = 32 A, di/dt = 100 A/µs,

VDD = 60 V (see Figure 16: "

Test circuit for inductive load

switching and diode recovery

times")

-

468

ns

Qrr

Reverse recovery charge

-

8.7

µC

IRRM

Reverse recovery current

-

37.5

A

trr

Reverse recovery time

ISD = 32 A, di/dt = 100 A/µs,

VDD = 60 V, Tj = 150 °C (see

Figure 16: " Test circuit for

inductive load switching and

diode recovery times")

-

610

ns

Qrr

Reverse recovery charge

-

11.7

µC

IRRM

Reverse recovery current

-

39

A

Notes:

(1)

Pulse width is limited by safe operating area

(2)

Pulse test: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%

Số phần tương tự - STI40N65M2

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STI400N4F6	181Kb / 11P	N-channel 40 V, 120 A STripFET??VI DeepGATE?? Power MOSFET in I짼PAK and TO-220 packages August 2012 Rev 1

More results

Mô tả tương tự - STI40N65M2

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STWA48N60M2	776Kb / 12P	Extremely low gate charge December 2015 Rev 1
	STL7N60M2	310Kb / 13P	Extremely low gate charge January 2015 Rev 1
	STD7N60M2	1Mb / 21P	Extremely low gate charge June 2013 Rev 1
	STB28N60M2	1Mb / 21P	Extremely low gate charge
	STD11N65M2	1Mb / 21P	Extremely low gate charge May 2014 Rev 1
	STF5N60M2	743Kb / 13P	Extremely low gate charge June 2016 Rev 2
	STF7N65M2	904Kb / 13P	Extremely low gate charge August 2014 Rev 2
	STL13N65M2	642Kb / 16P	Extremely low gate charge December 2014 Rev 1
	STL19N60M2	770Kb / 15P	Extremely low gate charge January 2016 Rev 1
	STW56N65M2	730Kb / 12P	Extremely low gate charge December 2014 Rev 1
	STB24N65M2	1Mb / 20P	Extremely low gate charge

More results

STI40N65M2 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics

STI40N65M2 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics

Số phần tương tự - STI40N65M2

Mô tả tương tự - STI40N65M2

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

bảng dữ liệu tải về

Link URL