công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STH180N10F3-6 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STH180N10F3-6 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 15 page STH180N10F3-6 Electrical characteristics DocID022347 Rev 4 5/15 Table 7: Source-drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 180 A ISDM (1) Source-drain current (pulsed) 720 A VSD (2) Forward on voltage ISD = 120 A, VGS = 0 1.5 V trr Reverse recovery time ISD = 120 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 80 V, Tj = 150 °C 83.4 ns Qrr Reverse recovery charge 295.7 nC IRRM Reverse recovery current 7.1 A Notes: (1) Pulse width limited by safe operating area (2) Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s) |
Số phần tương tự - STH180N10F3-6 |
|
Mô tả tương tự - STH180N10F3-6 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |