công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STH180N10F3-6 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STH180N10F3-6 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 15 page STH180N10F3-6 Electrical ratings DocID022347 Rev 4 3/15 1 Electrical ratings Table 2: Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source voltage 100 V VGS Gate-source voltage ± 20 V ID (1) Drain current (continuous) at TC = 25 °C 180 A ID (1) Drain current (continuous) at TC = 100 °C 120 A IDM (2) Drain current (pulsed) 720 A PTOT Total dissipation at TC = 25 °C 315 W Derating factor 2.1 W/ºC dv/dt Peak diode recovery voltage slope 20 V/ns EAS (3) Single pulse avalanche energy 350 mJ TJ Operating junction temperature -55 to 175 °C Tstg Storage temperature °C Notes: (1) Current limited by package (2) Pulse width limited by safe operating area (3) Starting TJ = 25 °C, ID = 80, VDD = 50 V Table 3: Thermal resistance Symbol Parameter Value Unit Rthj-case Thermal resistance junction-case 0.48 °C/W Rthj-pcb (1) Thermal resistance junction-pcb 35 °C/W Notes: (1) When mounted on FR-4 board of 1 inch², 2 oz Cu Obsolete Product(s) - Obsolete Product(s) |
Số phần tương tự - STH180N10F3-6 |
|
Mô tả tương tự - STH180N10F3-6 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |