công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STH175N4F6-6AG bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STH175N4F6-6AG bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 18 page DocID027534 Rev 1 5/18 STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AG Electrical characteristics 18 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD (1) 1. Limited by package, current allowed by silicon 177 A Source-drain current - 120 A ISDM (1) Source-drain current (pulsed) - 480 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage VGS = 0, ISD = 120 A - 1.3 V trr Reverse recovery time ISD = 120 A, VDD = 32 V di/dt = 100 A/µs, Tj = 25 °C -36 ns Qrr Reverse recovery charge - 40 nC IRRM Reverse recovery current - 2.3 A |
Số phần tương tự - STH175N4F6-6AG |
|
Mô tả tương tự - STH175N4F6-6AG |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |