công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STFH10N60M2 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STFH10N60M2 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 12 page STFH10N60M2 Electrical characteristics DocID029418 Rev 3 5/12 Table 8: Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD(1) Source-drain current - 7.5 A ISDM(1)(2) Source-drain current (pulsed) - 30 A VSD(3) Forward on voltage ISD = 7.5 A, VGS = 0 V - 1.6 V trr Reverse recovery time ISD = 7.5 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 60 V (see Figure 16: "Test circuit for inductive load switching and diode recovery times") - 270 ns Qrr Reverse recovery charge - 2 µC IRRM Reverse recovery current - 14.4 A trr Reverse recovery time ISD = 7.5 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 60 V, Tj = 150 °C (see Figure 16: "Test circuit for inductive load switching and diode recovery times") - 376 ns Qrr Reverse recovery charge - 2.8 µC IRRM Reverse recovery current - 15 A Notes: (1)Limited by maximum junction temperature. (2)Pulse width limited by safe operating area. (3)Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%. |
Số phần tương tự - STFH10N60M2 |
|
Mô tả tương tự - STFH10N60M2 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |