công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SC2412 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
2SC2412 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
2 / 4 page Production specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC2412 C020 www.gmicroelec.com Rev.A 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=50μA,IE=0 60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=50μA,IC=0 7 V Collector cut-off current ICBO VCB=60V,IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=7V,IC=0 0.1 μA DC current gain hFE VCE=6V,IC=1mA 120 560 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=50mA, IB=5mA 0.4 V Collector output capacitance Cob VCB=12V,IE=0A, f=1MHz 2.0 3.5 pF Transition frequency fT VCE=12V, IE= -2mA f=100MHz 180 MHz CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank Q R S Range 120-270 180-390 270-560 Marking BQ BR BS |
Số phần tương tự - 2SC2412 |
|
Mô tả tương tự - 2SC2412 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |