công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STD30N10F7 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STD30N10F7 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 16 page DocID025607 Rev 3 5/16 STD30N10F7 Electrical characteristics 16 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit VSD (1) 1. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%. Forward on voltage ISD = 32 A, VGS = 0 - 1.1 V trr Reverse recovery time ISD = 32 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 80 V, TJ=150 °C (see Figure 15) -41 ns Qrr Reverse recovery charge - 47 nC IRRM Reverse recovery current - 2.3 A |
Số phần tương tự - STD30N10F7 |
|
Mô tả tương tự - STD30N10F7 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |