công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP16N50M2 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STP16N50M2 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 21 page STD16N50M2, STF16N50M2, STP16N50M2 Electrical characteristics DocID026641 Rev 5 5/21 Table 8: Source-drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 13 A ISDM(1) Source-drain current (pulsed) - 52 A VSD (2) Forward on voltage VGS = 0 V, ISD = 13 A - 1.6 V trr Reverse recovery time ISD = 13 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 60 V (see Figure 20: "Test circuit for inductive load switching and diode recovery times") - 280 ns Qrr Reverse recovery charge - 2.85 µC IRRM Reverse recovery current - 20.5 A trr Reverse recovery time ISD = 13 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 60 V, Tj = 150 °C (see Figure 20: "Test circuit for inductive load switching and diode recovery times") - 388 ns Qrr Reverse recovery charge - 4.5 µC IRRM Reverse recovery current - 21 A Notes: (1)Pulse width is limited by safe operating area. (2)Pulse test: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%. |
Số phần tương tự - STP16N50M2 |
|
Mô tả tương tự - STP16N50M2 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |