công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STD25N10F7 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STD25N10F7 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 21 page Electrical characteristics STD25N10F7, STF25N10F7, STP25N10F7 4/21 DocID025265 Rev 1 2 Electrical characteristics (T CASE = 25 °C unless otherwise specified) Table 4. On/off states Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit V (BR)DSS Drain-source breakdown voltage (V GS = 0) I D = 250 μA 100 - V I DSS Zero gate voltage drain current (V GS = 0) V DS = 100 V V DS = 100 V; T C = 125 °C 10 100 μA μA I GSS Gate body leakage current (V DS = 0) V GS = ± 20 V ±100 nA V GS(th) Gate threshold voltage V DS = V GS , I D = 250 μA2.5 4.5 V R DS(on) Static drain-source on- resistance V GS = 10 V, I D = 12.5 A 0.027 0.035 Ω Table 5. Dynamic Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit C iss Input capacitance V DS = 50 V, f = 1 MHz, V GS = 0 -920 - pF C oss Output capacitance - 215 - pF C rss Reverse transfer capacitance -19 - pF Q g Total gate charge V DD = 50 V, I D = 25 A V GS = 10 V Figure 18 -14 - nC Q gs Gate-source charge - 7 - nC Q gd Gate-drain charge - 3 - nC |
Số phần tương tự - STD25N10F7 |
|
Mô tả tương tự - STD25N10F7 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |