công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STD16N65M2 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
STD16N65M2 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
3 / 17 page DocID027076 Rev 1 3/17 STD16N65M2 Electrical ratings 17 1 Electrical ratings Table 2. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VGS Gate-source voltage ± 25 V ID Drain current (continuous) at TC = 25 °C 11 A ID Drain current (continuous) at TC = 100 °C 6.9 A IDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Drain current (pulsed) 44 A PTOT Total dissipation at TC = 25 °C 110 W dv/dt (2) 2. ISD ≤ 11 A, di/dt ≤ 400 A/µs; VDS peak < V(BR)DSS, VDD=400 V. Peak diode recovery voltage slope 15 V/ns dv/dt (3) 3. VDS ≤ 520 V MOSFET dv/dt ruggedness 50 V/ns Tstg Storage temperature - 55 to 150 °C Tj Max. operating junction temperature Table 3. Thermal data Symbol Parameter Value Unit Rthj-case Thermal resistance junction-case max 1.14 °C/W Rthj-pcb Thermal resistance junction-pcb max(1) 1. When mounted on 1 inch² FR-4, 2 Oz copper board 50 °C/W Table 4. Avalanche characteristics Symbol Parameter Value Unit IAR Avalanche current, repetitive or not repetitive (pulse width limited by Tjmax) 1.9 A EAS Single pulse avalanche energy (starting Tj=25°C, ID= IAR; VDD=50) 360 mJ |
Số phần tương tự - STD16N65M2 |
|
Mô tả tương tự - STD16N65M2 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |