công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STW28NM60ND bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STW28NM60ND bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 22 page DocID024520 Rev 3 5/22 STB28NM60ND, STF28NM60ND, STP28NM60ND, STW28NM60ND Electrical characteristics Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit I SD Source-drain current - 23 A I SDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) - 92 A V SD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5%. Forward on voltage I SD = 23 A, V GS = 0 - 1.6 V t rr Reverse recovery time I SD = 23 A, V DD = 60 V di/dt=100 A/μs (see Figure 17) - 170 ns Q rr Reverse recovery charge - 1160 nC I RRM Reverse recovery current - 14 A t rr Reverse recovery time I SD = 23 A,V DD = 60 V di/dt=100 A/μs, T J = 150 °C (see Figure 17) - 237 ns Q rr Reverse recovery charge - 2090 nC I RRM Reverse recovery current - 18 A |
Số phần tương tự - STW28NM60ND |
|
Mô tả tương tự - STW28NM60ND |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |