công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STOE30G10 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Sirectifier Semiconductors |
|
STOE30G10 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Sirectifier Semiconductors |
2 / 3 page Symbol Test Conditions Characteristic Values Unit V VT IT=30A; TVJ=25oC 1.28 VTO For power-loss calculations only (TVJ=150oC) 0.86 V rT 15 m VD=6V; TVJ=25oC TVJ=-40oC VGT 1.3 1.6 V VD=6V; TVJ=25oC TVJ=-40oC IGT 28 50 mA VGD TVJ=TVJM; VD=2/3VDRM 0.2 V IGD 1 mA IH TVJ=25oC; VD=6V; RGK= 60 mA TVJ=25oC; tp=10us; IG=0.3A; diG/dt=0.3A/us 90 mA IL DC current RthJC 0.50 K/W DC current RthJH 0.25 K/W a Max. acceleration, 50 Hz 50 m/s2 IR, ID TVJ=TVJM; VR=VRRM; VD=VDRM 5 mA TVJ=25oC; VD=1/2VDRM IG=0.3A; diG/dt=0.3A/us tgd 2 us TVJ=125oC 25 High Efficiency Thyristor Discretes STOE30G06 thru STOE30G12 YYWW Logo Part Number DateCode Product Marking Sirectifier STOE30G12 K G A P2 ©2012 SIRECTIFIER All rights reserved www.sirectifier.com |
Số phần tương tự - STOE30G10 |
|
Mô tả tương tự - STOE30G10 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |