công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MTB9D0P03H8-0-T6-G bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
MTB9D0P03H8-0-T6-G bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - Cystech Electonics Corp. |
6 / 11 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C050H8 Issued Date : 2017.04.05 Revised Date : 2017.04.10 Page No. : 6/11 MTB9D0P03H8 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) Typical Transfer Characteristics 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 01 2345 678 9 10 -VGS, Gate-Source Voltage(V) VDS=-10V Single Pulse Power Rating, Junction to Ambient (Note on page 2) 0 50 100 150 200 250 300 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 Pulse Width(s) TJ(MAX)=150°C TA=25°C RθJA=23°C/W Maximum Drain Current vs Case Temperature 0 10 20 30 40 50 60 25 50 75 100 125 150 175 TC, Case Temperature(°C) VGS=-10V, RθJC=2.5°C/W Maximum Safe Operating Area 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 -VDS, Drain-Source Voltage(V) DC 10ms 100ms 1ms 100 μs RDSON Limited TC=25°C, VGS=-10V,Tj=150°C RθJC=2.5°C/W, Single Pulse Single Pulse Maximum Power Dissipation 0 100 200 300 400 500 600 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width(s) TJ(MAX)=150°C TC=25°C RθJC=2.5°C/W |
Số phần tương tự - MTB9D0P03H8-0-T6-G |
|
Mô tả tương tự - MTB9D0P03H8-0-T6-G |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |