công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MTB012C04Q8 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
MTB012C04Q8 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Cystech Electonics Corp. |
5 / 12 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C049Q8 Issued Date : 2017.04.24 Revised Date : Page No. : 5/12 MTB012C04Q8 CYStek Product Specification Typical Characteristics(Cont.) : Q1( N-channel) Capacitance vs Drain-to-Source Voltage 10 100 1000 0 5 10 15 20 25 30 VDS, Drain-Source Voltage(V) C oss Ciss Crss Threshold Voltage vs Junction Tempearture 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 Tj, Junction Temperature(°C) ID=250 μA ID=1mA Forward Transfer Admittance vs Drain Current 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 ID, Drain Current(A) VDS=10V Pulsed Ta=25°C Gate Charge Characteristics 0 2 4 6 8 10 02 46 8 10 12 14 Qg, Total Gate Charge(nC) ID=8.3A VDS=15V Maximum Safe Operating Area 0.01 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 100 VDS, Drain-Source Voltage(V) DC 10ms 1ms 100 μs RDS(ON) Limited TA=25°C, Tj=150°C, VGS=10V RθJA=62°C/W,Single Pulse 1s 100ms Maximum Drain Current vs Junction Temperature 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 25 50 75 100 125 150 175 TJ, Junction Temperature(°C) TA=25°C, Tj=150°C,VGS=10V RθJA=62°C/W |
Số phần tương tự - MTB012C04Q8 |
|
Mô tả tương tự - MTB012C04Q8 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |