công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK9529-100B bảng dữ liệu(PDF) 9 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK9529-100B bảng dữ liệu(HTML) 9 Page - NXP Semiconductors |
9 / 15 page Philips Semiconductors BUK95/9629-100B TrenchMOS™ logic level FET Product data Rev. 01 — 18 April 2003 9 of 15 9397 750 11249 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved. VDS =25V Tj =25 °C; ID =25A Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a function of gate-source voltage; typical values. Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values. VGS =0V Fig 15. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values. 03nm49 0 25 50 75 100 01 23 45 VGS (V) ID (A) T j = 175 °C Tj = 25 °C 03nm47 0 1 2 3 4 5 0 1020 3040 QG (nC) VGS (V) VDD = 80 V VDD = 14 V 03nm46 0 25 50 75 100 0.0 0.5 1.0 1.5 VSD (V) ID (A) Tj = 175 °C Tj = 25 °C |
Số phần tương tự - BUK9529-100B |
|
Mô tả tương tự - BUK9529-100B |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |