BUK7K12-60E datasheet(6/13 Pages) NXP

tên linh kiện	BUK7K12-60E

Giải thích chi tiết về linh kiện	Dual N-channel 60 V, 9.3 m廓 standard level MOSFET

Download	13 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	NXP [NXP Semiconductors]

Trang chủ	http://www.nxp.com

Logo

6 / 13 page

NXP Semiconductors

BUK7K12-60E

Dual N-channel 60 V, 9.3 mΩ standard level MOSFET

BUK7K12-60E

All information provided in this document is subject to legal disclaimers.

Product data sheet

11 December 2013

6 / 13

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Ciss

input capacitance

-

1761

2348

pF

Coss

output capacitance

-

247

297

pF

Crss

reverse transfer

capacitance

VGS = 0 V; VDS = 25 V; f = 1 MHz;

Tj = 25 °C; Fig. 15

-

155

213

pF

td(on)

turn-on delay time

-

9.1

-

ns

tr

rise time

-

12.5

-

ns

td(off)

turn-off delay time

-

23

-

ns

tf

fall time

VDS = 48 V; RL = 5 Ω; VGS = 10 V;

RG(ext) = 5 Ω; Tj = 25 °C; ID = 10 A

-

15

-

ns

Source-drain diode FET1 and FET2

VSD

source-drain voltage

IS = 10 A; VGS = 0 V; Tj = 25 °C; Fig. 16

-

0.78

1.2

V

trr

reverse recovery time

-

25

-

ns

Qr

recovered charge

IS = 10 A; dIS/dt = -100 A/µs; VGS = 0 V;

VDS = 30 V; Tj = 25 °C

-

24

-

nC

003aak006

0

1

2

3

4

0

8

16

24

32

40

VDS (V)

ID

(A)

4 V

4.5 V

VGS = 5 V

5.5 V

10 V

Tj = 25 °C; tp = 300 μs

Fig. 6. Output characteristics; drain current as a

function of drain-source voltage; typical values

003aak005

0

4

8

12

16

20

0

8

16

24

32

40

VGS (V)

RDSon

Fig. 7. Drain-source on-state resistance as a function

of gate-source voltage; typical values

Số phần tương tự - BUK7K12-60E

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Nexperia B.V. All right...	BUK7K12-60E	755Kb / 13P	Dual N-channel 60 V, 9.3 mΩ standard level MOSFET 11 December 2013

More results

Mô tả tương tự - BUK7K12-60E

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Nexperia B.V. All right...	BUK7K12-60E	755Kb / 13P	Dual N-channel 60 V, 9.3 mΩ standard level MOSFET 11 December 2013
	BUK7K35-60E	747Kb / 13P	Dual N-channel 60 V, 30 m廓 standard level MOSFET
	BUK7K17-60E	763Kb / 13P	Dual N-channel 60 V, 14 m廓 standard level MOSFET
NXP Semiconductors	BUK7K52-60E	309Kb / 13P	Dual N-channel 60 V, 45 m廓 standard level MOSFET 10 December 2013
Nexperia B.V. All right...	BUK7K13-60E	722Kb / 13P	Dual N-channel 60 V, 10 m廓 standard level MOSFET
Nexperia B.V. All right...	BUK7K52-60E	738Kb / 13P	Dual N-channel 60 V, 45 m廓 standard level MOSFET
NXP Semiconductors	PSMN015-60PS	197Kb / 14P	N-channel 60 V 14.8 m廓 standard level MOSFET Rev. 3-23 June 2011
	PSMN015-60PS	242Kb / 14P	N-channel 60 V 14.8 m廓 standard level MOSFET Rev. 02-22 February 2010
	PSMN3R0-60PS	220Kb / 13P	N-channel 60 V 3.0 m廓 standard level MOSFET Rev. 01-23 November 2009
	PSMN7R6-60PS	177Kb / 14P	N-channel 60 V 7.8 m廓 standard level MOSFET Rev. 02-22 January 2010

More results

BUK7K12-60E bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors

BUK7K12-60E bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors

Số phần tương tự - BUK7K12-60E

Mô tả tương tự - BUK7K12-60E

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13

bảng dữ liệu tải về

Link URL