công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MTB04N03Q8 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
MTB04N03Q8 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Cystech Electonics Corp. |
2 / 9 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C789Q8 Issued Date : 2011.12.16 Revised Date : 2015.10.05 Page No. : 2/9 MTB04N03Q8 CYStek Product Specification Symbol Outline MTB04N03Q8 SOP-8 Absolute Maximum Ratings (Ta=25°C) Parameter Pin 1 G:Gate D:Drain S:Source Symbol Limits Unit Drain-Source Voltage VDS 30 Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current @ TC=25 °C, VGS=10V 25 Continuous Drain Current @ TC=100 °C, VGS=10V ID 16 Pulsed Drain Current IDM 100 *1 Avalanche Current IAS 20 A Avalanche Energy @ L=0.1mH, ID=20A, VDD=15V EAS 40 Repetitive Avalanche Energy @ L=0.05mH EAR 0.3 *2 mJ TA=25℃ 2.5 Total Power Dissipation TA=100℃ PD 1 W Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg -55~+150 °C Thermal Data Parameter Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction-to-case, max Rth,j-c 25 Thermal Resistance, Junction-to-ambient, max °C/W Rth,j-a 50 *3 Note : 1. Pulse width limited by maximum junction temperature 2. Duty cycle≤1% 3. Surface mounted on 1 in² copper pad of FR-4 board, 125 °C/W when mounted on minimum copper pad |
Số phần tương tự - MTB04N03Q8 |
|
Mô tả tương tự - MTB04N03Q8 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |