công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STGP6M65DF2 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - STMicroelectronics |
|
STGP6M65DF2 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - STMicroelectronics |
6 / 17 page Electrical characteristics STGP6M65DF2 6/17 DocID028696 Rev 3 Table 7: Diode switching characteristics (inductive load) Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit trr Reverse recovery time IF = 6 A, VR = 400 V, VGE = 15 V (see Figure 29: " Test circuit for inductive load switching") di/dt = 1000 A/µs - 140 ns Qrr Reverse recovery charge - 210 nC Irrm Reverse recovery current - 6.6 A dIrr/dt Peak rate of fall of reverse recovery current during tb - 430 A/µs Err Reverse recovery energy - 16 µJ trr Reverse recovery time IF = 6 A, VR = 400 V, VGE = 15 V TJ = 175 °C (see Figure 29: " Test circuit for inductive load switching") di/dt = 1000 A/µs - 200 ns Qrr Reverse recovery charge - 473 nC Irrm Reverse recovery current - 9.6 A dIrr/dt Peak rate of fall of reverse recovery current during tb - 428 A/µs Err Reverse recovery energy - 32 µJ |
Số phần tương tự - STGP6M65DF2 |
|
Mô tả tương tự - STGP6M65DF2 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |