công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STTH3R02-Y bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - STMicroelectronics |
|
STTH3R02-Y bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - STMicroelectronics |
2 / 8 page Characteristics STTH3R02-Y 2/8 DocID027545 Rev 1 1 Characteristics To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 0.71 x IF(AV) + 0.04 x IF 2 (RMS) Table 2. Absolute ratings (limiting values at Tj = 25 °C, unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Unit VRRM Repetitive peak reverse voltage Tj = -40 °C 200 V IF(AV) Average forward current, square waveform TL = 109 °C δ = 0.5 3 A IFSM Surge current non repetitive forward current tp = 8.3 ms sinusoidal 80 A Tstg Storage temperature range -65 to + 175 °C Tj (1) 1. condition to avoid thermal runaway for a diode on its own heatsink Operating temperature range -40 to + 175 °C Table 3. Thermal resistance Symbol Parameter Typ. Max. Unit Rth(j-l) Junction to lead 15 23 °C/W Table 4. Static electrical characteristics Symbol Parameter Tests conditions Min. Typ. Max. Unit IR (1) 1. Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2% Reverse leakage current Tj = 25 °C VR = VRRM 1.6 µA Tj = 125 °C 2 16 VF (2) 2. Pulse test: tp = 380 µs, δ < 2% Forward voltage drop Tj = 25 °C IF = 3A 0.91 1.02 V Tj = 150 °C 0.72 0.83 dPtot dTj < 1 Rth(j-a) |
Số phần tương tự - STTH3R02-Y |
|
Mô tả tương tự - STTH3R02-Y |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |