công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STTH1602CFP bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
STTH1602CFP bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
4 / 7 page STTH1602C 4/7 0 10 20 30 40 50 60 70 80 10 100 1000 t(ns) rr dI /dt(A/µs) F T =25°C j T =125°C j I =8A F V =160V R Fig. 6: Reverse recovery time versus dIF/dt (typical values, per diode). 0 2 4 6 8 10 12 14 16 10 100 1000 I(A) RM dI /dt(A/µs) F T =25°C j T =125°C j I =8A F V =160V R Fig. 7: Peak reverse recovery current versus dIF/dt (typical values, per diode). 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 25 50 75 100 125 150 IRM Qrr T (°C) j Q; rr I [T ]/Q ;I [T =125°C] RM j rr RM j I =8A F V =160V R Fig. 8: Dynamic parameters versus junction temperature. 0 10 20 30 40 50 60 70 80 02468 10 12 14 16 18 20 S(Cu)(cm²) R (°C/W) th(j-a) Fig. 9: Thermal resistance junction to ambient versus copper surface under tab (Epoxy printed circuit board FR4, eCU: 35µm) for D 2PAK. 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 10 100 1000 Q (nC) rr dI /dt(A/µs) F I =8A F V =160V R T =125°C j T =25°C j Fig. 5: Reverse recovery charges versus dIF/dt (typical values, per diode). |
Số phần tương tự - STTH1602CFP |
|
Mô tả tương tự - STTH1602CFP |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |