công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MTB011N10RQ8-0-T3-G bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Cystech Electonics Corp. |
|
MTB011N10RQ8-0-T3-G bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Cystech Electonics Corp. |
4 / 9 page CYStech Electronics Corp. Spec. No. : C169Q8 Issued Date : 2016.11.04 Revised Date : Page No. : 4/9 MTB011N10RQ8 CYStek Product Specification Typical Characteristics Typical Output Characteristics 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 02 4 68 10 VDS, Drain-Source Voltage(V) 10V,9V,8V,7V,6V,5V,4V,3.5V VGS=3V Brekdown Voltage vs Ambient Temperature 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 Tj, Junction Temperature(°C) ID=250μA, VGS=0V Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current 1 10 100 0.1 1 10 100 ID, Drain Current(A) VGS=4.5V VGS=10V Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 02 46 8 1 IDR, Reverse Drain Current(A) 0 Tj=25°C Tj=150°C Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source Voltage 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 02 46 8 10 Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 Tj, Junction Temperature(°C) VGS=10V, ID=11.5A RDS(ON)@Tj=25°C : 7.5mΩ typ. VGS, Gate-Source Voltage(V) ID=11.5A |
Số phần tương tự - MTB011N10RQ8-0-T3-G |
|
Mô tả tương tự - MTB011N10RQ8-0-T3-G |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |