công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUK7626-100B bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - NXP Semiconductors |
|
BUK7626-100B bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - NXP Semiconductors |
7 / 15 page Philips Semiconductors BUK75/7626-100B TrenchMOS™ standard level FET Product data Rev. 01 — 11 April 2003 7 of 15 9397 750 11238 © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved. Tj =25 °C; tp = 300 µsTj =25 °C; ID =25A Fig 5. Output characteristics: drain current as a function of drain-source voltage; typical values. Fig 6. Drain-source on-state resistance as a function of gate-source voltage; typical values. Tj =25 °C Fig 7. Drain-source on-state resistance as a function of drain current; typical values. Fig 8. Normalized drain-source on-state resistance factor as a function of junction temperature. 03nm40 0 50 100 150 02 46 8 10 VDS (V) ID (A) 5 6.5 7 7.5 5.5 6 8 10 20 4.5 Label is VGS (V) 03nm39 15 22 29 36 43 50 510 15 20 VGS (V) RDSon (m Ω) 03nm41 10 20 30 40 50 60 0 25 50 75 100 ID (A) RDSon (m Ω) Label is VGS (V) 20 10 9 8 7 6.5 6 5.5 03ng41 0 0.5 1 1.5 2 2.5 -60 0 60 120 180 Tj (°C) a a R DSon R DSon 25 C ° () ----------------------------- = |
Số phần tương tự - BUK7626-100B |
|
Mô tả tương tự - BUK7626-100B |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |