công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SI1902DL bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Vishay Siliconix |
|
SI1902DL bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Vishay Siliconix |
1 / 4 page Si1902DL Vishay Siliconix Document Number: 71080 S-21374—Rev. E, 12-Aug-02 www.vishay.com 1 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.385 @ VGS = 4.5 V 0.70 20 0.630 @ VGS = 2.5 V 0.54 Marking Code PA XX Lot Traceability and Date Code Part # Code SOT-363 SC-70 (6-LEADS) 6 4 1 2 3 5 Top View S1 G1 D2 D1 G2 S2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol 5 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS 20 Gate-Source Voltage VGS "12 V _ TA = 25_C 0.70 0.66 Continuous Drain Current (TJ = 150_C)a TA = 85_C ID 0.50 0.48 Pulsed Drain Current IDM 1.0 A Continuous Source Current (Diode Conduction)a IS 0.25 0.23 TA = 25_C 0.30 0.27 Maximum Power Dissipationa TA = 85_C PD 0.16 0.14 W Operating Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg -55 to 150 _C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Symbol Typical Maximum Unit t v 5 sec 360 415 Maximum Junction-to-Ambienta Steady State RthJA 400 460 _C/W Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State RthJF 300 350 C/W Notes a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board. |
Số phần tương tự - SI1902DL |
|
Mô tả tương tự - SI1902DL |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |