công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BUZ11A bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
BUZ11A bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
2 / 2 page INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ11A ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 0.25mA 50 V VGS(TH) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID= 1mA 2.1 4 V RDS(ON) Drain-Source On-stage Resistance VGS= 10V; ID= 19A 0.045 0.055 Ω IGSS Gate Source Leakage Current VGS= ±20V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 50V; VGS= 0 1 uA VSD Diode Forward Voltage IF= 60A; VGS= 0 1.8 V Td(on) Turn-on Time VDD = 30 V ID = 3A RGS = 50Ω VGS = 10 V 15 25 ns tr Rise Time 55 85 ns Td(off) Turn-off Delay Time 120 160 ns tf Rise Time 80 110 ns PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
Số phần tương tự - BUZ11A |
|
Mô tả tương tự - BUZ11A |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |