công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TYN112 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - STMicroelectronics |
|
TYN112 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - STMicroelectronics |
2 / 5 page GATE CHARACTERISTICS (maximum values) Symbol Parameter Value Unit Rth (j-a) Junction to ambient 60 °C/W Rth (j-c) DC Junction to case for DC TXN 3.5 °C/W TYN 2.5 Symbol Test Conditions Value Unit IGT VD=12V (DC) RL=33Ω Tj=25 °C MAX 15 mA VGT VD=12V (DC) RL=33Ω Tj=25 °C MAX 1.5 V VGD VD=VDRM RL=3.3kΩ Tj= 125 °C MIN 0.2 V tgt VD=VDRM IG = 40mA dIG/dt = 0.5A/µs Tj=25 °C TYP 2 µs IL IG= 1.2 IGT Tj=25 °C TYP 50 mA IH IT= 100mA gate open Tj=25 °C MAX 30 mA VTM ITM= 24A tp= 380 µs Tj=25 °C MAX 1.6 V IDRM IRRM VDRM Rated VRRM Rated Tj=25 °C MAX 0.01 mA Tj= 125 °C3 dV/dt Linear slope up to VD=67%VDRM gate open Tj= 125 °C MIN 200 V/ µs tq VD=67%VDRM ITM= 24A VR= 25V dITM/dt=30 A/µsdVD/dt= 50V/µs Tj= 125 °C TYP 70 µs PG (AV) =1W PGM = 10W (tp = 20 µs) IFGM = 4A (tp = 20 µs) VRGM =5 V. ELECTRICAL CHARACTERISTICS THERMAL RESISTANCES TXN/TYN 0512 ---> TXN/TYN 1012 2/5 |
Số phần tương tự - TYN112 |
|
Mô tả tương tự - TYN112 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |