MTB080P06N6 datasheet(4/9 Pages) CYSTEKEC

tên linh kiện	MTB080P06N6

Giải thích chi tiết về linh kiện	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Download	9 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	CYSTEKEC [Cystech Electonics Corp.]

Trang chủ	http://www.cystekec.com

Logo

4 / 9 page

CYStech Electronics Corp.

Spec. No. : C069N6

Issued Date : 2016.03.24

Revised Date : 2016.04.15

Page No. : 4/9

MTB080P06N6

CYStek Product Specification

Typical Characteristics(Cont.)

Capacitance vs Drain-to-Source Voltage

10

100

1000

0

5

10

15

20

25

30

-VDS, Drain-Source Voltage(V)

C oss

Ciss

Crss

f=1MHz

Threshold Voltage vs Junction Tempearture

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

-75 -50 -25

0

25

50

75 100 125 150 175

Tj, Junction Temperature(°C)

ID=-250

μA

ID=-1mA

Maximum Safe Operating Area

0.01

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

-VDS, Drain-Source Voltage(V)

RDS(ON)

Limited

DC

10ms

100ms

1ms

100

μs

1s

TA=25°C, Tj=150°C,

VGS=-10V, RθJA=62.5°C/W,

single pulse

Gate Charge Characteristics

0

2

4

6

8

10

02

46

8

10

12

14

16

18

20

Qg, Total Gate Charge(nC)

VDS=-48V

ID=-3A

Maximum Drain Current vs Junction Temperature

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

25

50

75

100

125

150

175

Tj, Junction Temperature(°C)

VGS=-10V, Tj(max)=150°C,

RθJA=62.5°C/W, single pulse

Typical Transfer Characteristics

0

3

6

9

12

15

01

23

45

-VGS, Gate-Source Voltage(V)

VDS=-10V

Số phần tương tự - MTB080P06N6

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Cystech Electonics Corp...	MTB080P06N3	461Kb / 9P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Cystech Electonics Corp...	MTB080P06N3-0-T1-G	461Kb / 9P	P-Channel Enhancement Mode MOSFET

More results

Mô tả tương tự - MTB080P06N6

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
GTM CORPORATION	G3401	308Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GP4953	301Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GM162	365Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G2U4407	298Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G3J14	377Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G1333	352Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GJ9585	236Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GI20P02	245Kb / 5P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GI405	253Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GSS4913	290Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GSS4955	350Kb / 4P	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

More results

MTB080P06N6 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Cystech Electonics Corp.

MTB080P06N6 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Cystech Electonics Corp.

Số phần tương tự - MTB080P06N6

Mô tả tương tự - MTB080P06N6

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9

bảng dữ liệu tải về

Link URL