công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ST25N10 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Stanson Technology |
|
ST25N10 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Stanson Technology |
2 / 6 page ST25N10 N Channel Enhancement Mode MOSFET 25.0A STANSON TECHNOLOGY 120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA www.stansontech.com Copyright © 2009, Stanson Corp. ST25N10 2013. V1 SOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25℃ Unless otherwise noted ) Parameter Symbol Typical Unit Drain-Source Voltage VDSS 100 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Continuous Drain Current (TJ=150℃) TA=25℃ TA=100℃ ID 25.0 16.0 A Pulsed Drain Current IDM 75 A Continuous Source Current (Diode Conduction) IS 25 A Power Dissipation TA=25℃ PD 79 W Operation Junction Temperature TJ 150 ℃ Storgae Temperature Range TSTG -55/150 ℃ Thermal Resistance-Junction to Ambient RθJA 110 ℃/W |
Số phần tương tự - ST25N10 |
|
Mô tả tương tự - ST25N10 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |