công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BF1101R-215 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
BF1101R-215 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
6 / 15 page 1999 May 14 6 NXP Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FETs BF1101; BF1101R; BF1101WR Fig.9 Drain current as a function of gate 1 current; typical values. VDS =5 V. VG2-S =4 V. Tj =25 C. handbook, halfpage 0 20 8 12 16 4 0 10 MGS303 20 30 40 50 ID (mA) IG1 (μA) Fig.10 Drain current as a function of gate 1 supply voltage (= VGG); typical values. VDS =5 V; VG2-S =4V; Tj =25 C. RG1 =120 k (connected to VGG); see Fig.21. handbook, halfpage 0 15 10 5 0 1 MGS304 23 5 4 ID (mA) VGG (V) Fig.11 Drain current as a function of gate 1 (= VGG) and drain supply voltage; typical values. VG2-S =4 V; Tj =25 C. RG1 connected to VGG; see Fig.21. handbook, halfpage 0 20 8 12 16 4 0 2 468 ID (mA) VGG = VDS (V) RG1 = 47 kΩ 68 kΩ 82 k Ω 100 k Ω 120 k Ω 150 k Ω 180 k Ω 220 k Ω MGS305 VDS =5 V; Tj =25 C. RG1 =120 k (connected to VGG); see Fig.21. Fig.12 Drain current as a function of gate 2 voltage; typical values. handbook, halfpage 0 8 12 16 4 0 2 MGS306 46 ID (mA) VG2-S (V) 4.5 V 4 V 3.5 V 3 V VGG = 5 V |
Số phần tương tự - BF1101R-215 |
|
Mô tả tương tự - BF1101R-215 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |