công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FSB50660SFT bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Fairchild Semiconductor |
|
FSB50660SFT bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Fairchild Semiconductor |
5 / 11 page ©2012 Fairchild Semiconductor Corporation 5 www.fairchildsemi.com FSB50660SF, FSB50660SFT Rev. C6 Recommended Operating Condition Figure 2. Built-in Bootstrap Diode Characteristics (Typical) Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit VPN Supply Voltage Applied Between P and N - 300 400 V VCC Control Supply Voltage Applied Between VCC and COM 13.5 15.0 16.5 V VBS High-Side Bias Voltage Applied Between VB and VS 13.5 15.0 16.5 V VIN(ON) Input ON Threshold Voltage Applied Between IN and COM 3.0 - VCC V VIN(OFF) Input OFF Threshold Voltage 0 - 0.6 V tdead Blanking Time for Preventing Arm-Short VCC = VBS = 13.5 ~ 16.5 V, TJ 150°C 1.0 - - s fPWM PWM Switching Frequency TJ 150°C - 20 - kHz 01 23 456 78 9 10 11 12 13 14 15 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 Built-in Bootstrap Diode V F -I F Characteristic V F [V] Tc=25°C |
Số phần tương tự - FSB50660SFT |
|
Mô tả tương tự - FSB50660SFT |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |