công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SPI70N10L bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Infineon Technologies AG |
|
SPI70N10L bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Infineon Technologies AG |
1 / 8 page 2001-08-24 Page 1 Preliminary data SPI70N10L SPP70N10L,SPB70N10L SIPMOS ====Power-Transistor Product Summary VDS 100 V RDS(on) 16 m ID 70 A Feature N-Channel Enhancement mode Logic Level 175°C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 P-TO262-3-1 Marking 70N10L 70N10L 70N10L Type Package Ordering Code SPP70N10L P-TO220-3-1 Q67040-S4175 SPB70N10L P-TO263-3-2 Q67040-S4170 SPI70N10L P-TO262-3-1 Q67060-S7428 Maximum Ratings,at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Value Unit Continuous drain current TC=25°C TC=100°C ID 70 50 A Pulsed drain current TC=25°C ID puls 280 Avalanche energy, single pulse ID=70 A , VDD=25V, RGS=25 EAS 700 mJ Avalanche energy, periodic limited by Tjmax EAR 25 Reverse diode dv/dt IS=70A, VDS=0V, di/dt=200A/µs dv/dt 6 kV/µs Gate source voltage VGS ±20 V Power dissipation TC=25°C Ptot 250 W Operating and storage temperature Tj , Tstg -55... +175 °C IEC climatic category; DIN IEC 68-1 55/175/56 |
Số phần tương tự - SPI70N10L |
|
Mô tả tương tự - SPI70N10L |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |