công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MCR8DSMT4G bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Kersemi Electronic Co., Ltd. |
|
MCR8DSMT4G bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Kersemi Electronic Co., Ltd. |
5 / 6 page MCR8DSM, MCR8DSN 5 Figure 9. Holding Current versus Gate−Cathode Resistance 1000 10 K 100 RGK, GATE−CATHODE RESISTANCE (OHMS) 10 6.0 4.0 2.0 0 TJ = 25°C Figure 10. Exponential Static dv/dt versus Gate−Cathode Resistance and Junction Temperature 100 RGK, GATE−CATHODE RESISTANCE (OHMS) 1000 10 1.0 TJ = 110°C 1000 IGT = 10 mA Figure 11. Exponential Static dv/dt versus Gate−Cathode Resistance and Peak Voltage Figure 12. Exponential Static dv/dt versus Gate−Cathode Resistance and Gate Trigger Current Sensitivity 8.0 IGT = 25 mA 100 90 °C 70 °C 100 RGK, GATE−CATHODE RESISTANCE (OHMS) 1000 10 1.0 TJ = 110°C 1000 100 VPK = 800 V 600 V 400 V 100 RGK, GATE−CATHODE RESISTANCE (OHMS) 1000 10 1.0 VD = 800 V TJ = 110°C 1000 100 IGT = 10 mA IGT = 25 mA www.kersemi.com |
Số phần tương tự - MCR8DSMT4G |
|
Mô tả tương tự - MCR8DSMT4G |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |