công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STH170N8F7-2 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STH170N8F7-2 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 15 page DocID026382 Rev 2 5/15 STH170N8F7-2 Electrical characteristics 15 Table 8. Source-drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 120 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current (pulsed) - 480 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300 µs, duty cycle 1.5%. Forward on voltage ISD = 120 A, VGS=0 - 1.2 V trr Reverse recovery time ISD = 120 A, di/dt = 100 A/µs, VDD= 64 V, Tj=150 °C -54 ns Qrr Reverse recovery charge - 78 nC IRRM Reverse recovery current - 2.9 A |
Số phần tương tự - STH170N8F7-2 |
|
Mô tả tương tự - STH170N8F7-2 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |