công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STTH1008DTI bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - STMicroelectronics |
|
STTH1008DTI bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - STMicroelectronics |
2 / 9 page Characteristics STTH1008DTI 2/9 DocID023113 Rev 1 1 Characteristics To evaluate the conduction losses use the following equation: P = 1.65 x IF(AV) + 0.04 x IF 2 (RMS) Table 2. Absolute ratings (limiting values per diode at 25 °C, unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Unit VRRM Repetitive peak reverse voltage 800 V IF(RMS) Forward rms current 16 A IF(AV) Average forward current, = 0.5 Tc = 85 °C 10 A IFRM Repetitive peak forward current Tc = 135 °C, = 0.3 20 A IFSM Surge non repetitive forward current tp = 10 ms sinusoidal 120 A Tstg Storage temperature range -65 to +175 °C Tj Maximum junction temperature 150 °C Table 3. Thermal resistance Symbol Parameter Value Unit Rth(j-c) Junction to case 2.5 °C/W Table 4. Static electrical characteristics Symbol Parameters Test conditions Min. Typ Max. Unit IR (1) Reverse leakage current Tj = 25 °C VR = VRRM 20 µA Tj = 150 °C 20 200 VF (2) Forward voltage drop Tc = 25 °C IF = 10 A 2.15 2.5 V Tc = 150 °C 1.7 2.05 Tc = 25 °C IF = 20 A 2.45 2.85 Tc = 150 °C 2.05 2.45 1. Pulse test: t P = 5 ms, < 2% 2. Pulse test: t P = 380 µs, < 2% |
Số phần tương tự - STTH1008DTI |
|
Mô tả tương tự - STTH1008DTI |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |