công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STS6P3LLH6 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
STS6P3LLH6 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
5 / 15 page DocID024219 Rev 2 5/15 STS6P3LLH6 Electrical characteristics 15 Note: For the P-channel MOSFET actual polarity of voltages and current has to be reversed Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 6 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current (pulsed) -24 A VSD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 3A, VGS = 0 - 1.1 V trr Reverse recovery time ISD = 3 A, di/dt = 100 A/µs VDD=16 V, Tj =150 °C -15 ns Qrr Reverse recovery charge - 6.5 nC IRRM Reverse recovery current - 0.9 A |
Số phần tương tự - STS6P3LLH6 |
|
Mô tả tương tự - STS6P3LLH6 |
|
|
Link URL |
Chính sách bảo mật |
ALLDATASHEET.VN |
Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |